Lateraler Bipolartransistor mit Emitter- und Kollektorregionen mit Teilen in in Isolationsschichtkavitäten und Verfahren
EP4184588
Art A1
24. Mai 2023
Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4184588
- Aktenzeichen
- EP22205700
- Anmeldetag
- 7. November 2022
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/08H01L29/10H01L29/66H01L29/73H01L29/735// H01L29/737
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- GlobalFoundries U.S. Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
GlobalFoundries U.S.
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
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