Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP4184589
Art A1
24. Mai 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4184589
- Aktenzeichen
- EP21857280
- Anmeldetag
- 1. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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