Leistungshalbleitermodul, Verfahren zur Montage eines Leistungshalbleitermoduls und Gehäuse für ein Leistungshalbleitermodul
EP4187596
Art A1
31. Mai 2023
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4187596
- Aktenzeichen
- EP21211013
- Anmeldetag
- 29. November 2021
- Veröffentlichung
- 31. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/07H01L25/18H01L23/34H01L23/02H01L23/00H01L21/52H01L23/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen