Optoelektronische Vorrichtung mit einer Gesn-Halbleiterschicht mit einem Einkristallinen Teil mit Direkter Bandstruktur und einer Darunter Liegenden Sperrzone

EP4187622 Art B1 3. April 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4187622
Aktenzeichen: EP22208450
Anmeldetag: 20. November 2022
Veröffentlichung: 3. April 2024
Erteilung: 3. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00H01L31/105H01S5/042H01S5/12H01S5/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von