Verfahren zum Übertragen einer Dünnen Schicht auf ein Trägersubstrat mit Ladungseinfangschicht

EP4189734 Art B1 26. Juni 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4189734
Aktenzeichen: EP21740160
Anmeldetag: 23. Juni 2021
Veröffentlichung: 26. Juni 2024
Erteilung: 26. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/02H01L21/3105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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