Asymmetrische Gate-Strukturen und Kontakte für Gestapelte Transistoren
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4191655
- Aktenzeichen
- EP22204391
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 23. August 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/822H01L27/06H01L21/8234H01L21/8238H01L27/088H01L27/092// H01L29/775
Abstract
Techniques are provided herein to form semiconductor devices having a stacked transistor configuration. An n-channel device and a p-channel device may both be gate-all-around (GAA) transistors each having any number of nanoribbons extending in the same direction where one device is located vertically above the other device. According to some embodiments, the n-channel device and the p-channel device conductively share the same gate, and a width of the gate structure around one device is greater than the width of the gate structure around the other device. According to some other embodiments, the n-channel device and the p-channel device each have a separate gate structure that is isolated from the other using a dielectric layer between them. A gate contact is adjacent to the upper device and contacts the gate structure of the other lower device.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
26.631 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.