Halbleiterstruktur
EP4195262
Art B1
20. November 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4195262
- Aktenzeichen
- EP21870914
- Anmeldetag
- 29. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 20. November 2024
- Erteilung
- 20. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/48H01L23/522H01L23/58
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Gulde & Partner · Berlin
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V.O
V.O · Den Haag