Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur und Halbleiterstruktur
EP4195274
Art A1
14. Juni 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4195274
- Aktenzeichen
- EP21859772
- Anmeldetag
- 10. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 14. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/10H10B12/00H01L21/311H01L23/528
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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