Struktur mit Widerstandsnetzwerk für Rückwärts-Biasing-Fet-Stapel
EP4195278
Art B1
19. November 2025
Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4195278
- Aktenzeichen
- EP22203178
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 19. November 2025
- Erteilung
- 19. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/67H10D86/01H10D86/00H10D86/80// H03K17/693
Abstract
A structure, comprising: a field effect transistor stack including a plurality of transistors over a buried insulator layer; a polysilicon isolation region in a substrate below the field effect transistor stack and the buried insulator layer; and a resistor network in the polysilicon isolation region, the resistor network having a different resistivity than the polysilicon isolation region.
Anmelder
- Firma
- GlobalFoundries U.S. Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
GlobalFoundries U.S.
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
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