Treiberschaltung

EP4195509 Art A1 14. Juni 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4195509
Aktenzeichen
EP21820445
Anmeldetag
9. Februar 2021
Veröffentlichung
14. Juni 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H03K19/0944H03K19/017H03K19/0185// G11C11/4093G11C7/10H03K5/156
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

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