Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Seitlichem Isolator
EP4197026
Art B1
2. Juli 2025
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4197026
- Aktenzeichen
- EP20949065
- Anmeldetag
- 13. August 2020
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2025
- Erteilung
- 2. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/01H10D30/60H10D64/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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