Halbleiterspeicher und Datenschreibverfahren
EP4198703
Art B1
3. September 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4198703
- Aktenzeichen
- EP21934347
- Anmeldetag
- 29. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 3. September 2025
- Erteilung
- 3. September 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F3/06G11C7/10G11C11/4076G11C11/4091G06F11/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank