Leseverstärker, Steuerverfahren für Leseverstärker und Speicher
EP4198983
Art B1
6. August 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4198983
- Aktenzeichen
- EP21917026
- Anmeldetag
- 30. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 6. August 2025
- Erteilung
- 6. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/4091G11C7/08G11C7/06G11C11/4094
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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