Schaltung und Verfahren zur Messung der Oszillationsperiode und Halbleiterspeicher

EP4198989 Art B1 9. Juli 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4198989
Aktenzeichen
EP21954782
Anmeldetag
3. November 2021
Veröffentlichung
9. Juli 2025
Erteilung
9. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H03K5/26H03K5/19// G01R23/10G01R31/317
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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