Speichervorrichtung und Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP4199042
Art A1
21. Juni 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4199042
- Aktenzeichen
- EP21920574
- Anmeldetag
- 11. August 2021
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D64/01H10B12/00H10D30/01H10D30/60H10D64/27H10D64/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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