Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP4199085
Art B1
21. Mai 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4199085
- Aktenzeichen
- EP22865907
- Anmeldetag
- 6. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2025
- Erteilung
- 21. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H10D30/67H10D64/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank