Monolithische Integration von High- und Low-Side-Gan-Fets mit Back-Gating-Abschirm-Effekt
EP4203034
Art A1
28. Juni 2023
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4203034
- Aktenzeichen
- EP22215348
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/085H01L29/778H01L21/337H01L29/06// H01L29/10H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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