Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
EP4203037
Art B1
27. August 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4203037
- Aktenzeichen
- EP21920503
- Anmeldetag
- 8. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 27. August 2025
- Erteilung
- 27. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/525H01L21/768H10B20/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin