Impulssignalerzeugungsschaltung und -Erzeugungsverfahren und Speicher

EP4203313 Art A1 28. Juni 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4203313
Aktenzeichen
EP21890680
Anmeldetag
27. Juli 2021
Veröffentlichung
28. Juni 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H03K7/08H03K5/06G11C11/4063H03K5/05H03K5/135G11C7/22G11C11/4076
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von

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