Verfahren zur Herstellung eines Verarbeiteten Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements und Zusammensetzung zur Bildung einer Temporären Haftschicht

EP4205902 Art A1 5. Juli 2023

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4205902
Aktenzeichen: EP21861699
Anmeldetag: 27. August 2021
Veröffentlichung: 5. Juli 2023
Rechtsraum: EP
IPC: B24B7/04B23Q3/08B24B37/04B24B41/06H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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