Verfahren zur Bildung eines Films aus Metalloxid und Verfahren zur Herstellung einer Speichervorrichtung

EP4206356 Art A1 5. Juli 2023

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4206356
Aktenzeichen: EP21860663
Anmeldetag: 17. August 2021
Veröffentlichung: 5. Juli 2023
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/40C23C16/455C23C16/511H01L21/02H10B41/27H10D30/68H01L21/365// H10D30/62H10D88/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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