Hochfrequenzgehäuse mit Mehrebenenleistungssubstraten und Zugehörige Herstellungsverfahren
EP4207254
Art A1
5. Juli 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4207254
- Aktenzeichen
- EP22214293
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/48H01L23/367H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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