Hochfrequenzgehäuse mit Substraten mit an Wärmeausdehnungskoeffizienten Angepassten Montagepads und Zugehörige Herstellungsverfahren
EP4207265
Art A3
27. September 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4207265
- Aktenzeichen
- EP22205578
- Anmeldetag
- 4. November 2022
- Veröffentlichung
- 27. September 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/047H01L23/10H01L23/14H01L23/00H01L23/36H01L23/373// H01L23/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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