Ic-Struktur mit Poröser Halbleiterschicht in Bulk-Substrat Neben Grabenisolation

EP4210091 Art A1 12. Juli 2023

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4210091
Aktenzeichen: EP22201489
Anmeldetag: 14. Oktober 2022
Veröffentlichung: 12. Juli 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/763H01L29/786H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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