Graphikeinheitsstruktur und Graphikarraystruktur

EP4216272 Art A1 26. Juli 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4216272
Aktenzeichen
EP21938795
Anmeldetag
9. August 2021
Veröffentlichung
26. Juli 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/528H01L23/535H01L21/60H01L21/768H01L23/522H10B12/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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