Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Elektrisch Leitenden Beta-GA2O3-Volumeneinkristallen und Elektrisch Leitender Beta-GA2O3-Volumeneinkristall
EP4219803
Art A1
2. August 2023
Anmelder: Siltronic AG, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung im Forschungsverbund Berlin e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4219803
- Aktenzeichen
- EP22154305
- Anmeldetag
- 31. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 2. August 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B15/10C30B15/14C30B15/20C30B29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Siltronic AG
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung im Forschungsverbund Berlin e.V. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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