Halbleiterbauelement mit Grabenisolationsstrukturen in einem Übergangsbereich und Verfahren zur Herstellung
EP4220697
Art A1
2. August 2023
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4220697
- Aktenzeichen
- EP22153674
- Anmeldetag
- 27. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 2. August 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L27/092H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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