Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
EP4220714
Art A1
2. August 2023
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4220714
- Aktenzeichen
- EP22804312
- Anmeldetag
- 7. März 2022
- Veröffentlichung
- 2. August 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/07H01L25/18H01L21/60H01L21/56H01L25/16H01L23/31H01L23/00H01R12/58// H01L23/373H01L23/498H01L23/538H05K1/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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