Herstellungsverfahren für Vertikale Trench-Gate Mosfets oder Igbts und Entsprechendes Halbleiterbauelement
EP4220730
Art B1
11. Dezember 2024
Anmelder: Hitachi Energy Ltd, Hitachi Energy Switzerland AG 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4220730
- Aktenzeichen
- EP22153881
- Anmeldetag
- 28. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2024
- Erteilung
- 11. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/08H01L29/10H01L29/40H01L29/66H01L29/739H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi Energy Ltd
Hitachi Energy Switzerland AG - Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
Hitachi Energy
Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.
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🇨🇭
Hitachi Energy Switzerland
Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.
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