Verfahren zur Herstellung eines Substrats für das Epitaktische Wachstum einer Schicht aus einer Galliumbasierten Iii-N-Legierung

EP4226416 Art B1 23. Oktober 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4226416
Aktenzeichen: EP21801584
Anmeldetag: 4. Oktober 2021
Veröffentlichung: 23. Oktober 2024
Erteilung: 23. Oktober 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von