Verfahren zur Herstellung eines Substrats für das Epitaktische Wachstum einer Schicht aus einer Galliumbasierten Iii-N-Legierung

EP4226417 Art A1 16. August 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4226417
Aktenzeichen: EP21801968
Anmeldetag: 4. Oktober 2021
Veröffentlichung: 16. August 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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