Mit einem Vertikalen Feldeffekttransistor Integrierter Niederspannungs-Flash-Speicher

EP4226424 Art B1 29. Oktober 2025

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4226424
Aktenzeichen: EP21777693
Anmeldetag: 14. September 2021
Veröffentlichung: 29. Oktober 2025
Erteilung: 29. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10B63/00H10B61/00H10D30/01H10D30/63G06N3/04G06N20/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

Vertreten von