Speicher
EP4227944
Art B1
2. Juli 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4227944
- Aktenzeichen
- EP21868246
- Anmeldetag
- 13. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2025
- Erteilung
- 2. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/42G11C11/4063G11C11/4096G11C29/44G11C29/02G11C29/04G11C29/12G11C5/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Gulde & Partner · Berlin
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V.O
V.O · Den Haag