Siliciumcarbidvorrichtung mit Metallischen Grenzflächenschichten und Verfahren zur Herstellung

EP4228004 Art A1 16. August 2023

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4228004
Aktenzeichen: EP22155913
Anmeldetag: 9. Februar 2022
Veröffentlichung: 16. August 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/12H01L29/417H01L29/45

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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