Testverfahren und Testsystem

EP4231302 Art A1 23. August 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4231302
Aktenzeichen
EP22857315
Anmeldetag
22. April 2022
Veröffentlichung
23. August 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/42G11C29/02G06F11/22G06F11/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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