Halbleitervorrichtung mit einer Substratschicht mit Schwebendem Basisbereich und Gate-Treiberschaltung

EP4231352 Art B1 8. Oktober 2025

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4231352
Aktenzeichen: EP22157261
Anmeldetag: 17. Februar 2022
Veröffentlichung: 8. Oktober 2025
Erteilung: 8. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D87/00H10D89/60H02H9/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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