Halbleiterschaltmodul mit Bipolartransistor mit Isoliertem Gate und Unipolarer Schaltvorrichtung
EP4235786
Art A1
30. August 2023
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4235786
- Aktenzeichen
- EP22159145
- Anmeldetag
- 28. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 30. August 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H01L27/088H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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