Halbleiterschaltmodul mit Bipolartransistor mit Isoliertem Gate und Unipolarer Schaltvorrichtung

EP4235786 Art A1 30. August 2023

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4235786
Aktenzeichen
EP22159145
Anmeldetag
28. Februar 2022
Veröffentlichung
30. August 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/02H01L27/088H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen