Gruppe-Iii-V-Halbleiterstrukturen mit Kristallinen Nachwachsschichten und Verfahren zur Herstellung Solcher Strukturen

EP4238137 Art A1 6. September 2023

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4238137
Aktenzeichen: EP21740310
Anmeldetag: 15. Juni 2021
Veröffentlichung: 6. September 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/338H01L29/08H01L29/45H01L29/20H01L21/285H01L23/31H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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