Sperrschicht-Feldeffekttransistor auf einem Silizium-Auf-Isolator-Substrat
EP4238138
Art A1
6. September 2023
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4238138
- Aktenzeichen
- EP21887694
- Anmeldetag
- 1. November 2021
- Veröffentlichung
- 6. September 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/80H01L21/337H01L29/06H01L29/08H01L29/40H01L29/10H01L29/808
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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