Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP4239669
Art A1
6. September 2023
Anmelder: The University of Tokyo, Pi-Crystal Inc., Organo-Circuit Incorporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4239669
- Aktenzeichen
- EP21885864
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2021
- Veröffentlichung
- 6. September 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/56H01L23/31H01L25/16H01L25/00H05K3/28H10K19/80H10K19/00H10K71/60// H05K1/03H05K1/09H05K3/12H01L23/538H05K1/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- The University of Tokyo
Pi-Crystal Inc.
Organo-Circuit Incorporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
University of Tokyo
Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.
2.129 Patente in unserer Datenbank