Treiber für einen Transistor mit Isoliertem Gate mit Verzögerungszeitkompensationsschaltung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4239885

Aktenzeichen

EP23158686

Anmeldetag

27. Februar 2023

Veröffentlichung

18. September 2024

Erteilung

18. September 2024

Rechtsraum

EP

IPC

H03K17/04// H03K17/0412

Abstract

L'invention concerne un étage de puissance (20) comprenant un transistor de puissance (60) et un pilote (40), le transistor de puissance (60) comprenant un collecteur (c'), une grille (g') et un émetteur (e') et étant configuré pour basculer d'un état saturé à un état bloqué et vice versa selon une commande du pilote (40), l'étage de puissance (20) comprenant un résistance Rg positionnée entre le pilote (40) et la grille (g'), l'étage de puissance (20) comprenant un circuit de compensation des retards (80) positionné en dérivation de la résistance Rg, comprenant :- un circuit de compensation de retards d'initialisation de conduction (82), configuré pour dériver le courant la résistance Rg lors d'une initialisation d'une saturation du transistor de puissance (60),- un circuit de compensation de retards d'initialisation d'arrêt de conduction (84), configuré pour dériver le courant la résistance Rg lors d'une initialisation d'un blocage du transistor de puissance (60),- un circuit de compensation de retards configuré pour dériver le courant la résistance Rg lorsque le transistor de puissance est proche de l'état saturé (86).

Anmelder

Firmen

Safran Electrical & Power
THALES

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete