Robuster Ldmos mit Drain-Gebundener Feldplatte
EP4241311
Art A1
13. September 2023
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4241311
- Aktenzeichen
- EP21890216
- Anmeldetag
- 8. November 2021
- Veröffentlichung
- 13. September 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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