Feldeffekttransistoranordnung mit Isoliertem Gate und Verfahren zu deren Herstellung

EP4243080 Art A3 8. November 2023

Anmelder: General Electric Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4243080
Aktenzeichen: EP23185430
Anmeldetag: 18. November 2013
Veröffentlichung: 8. November 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/423H01L21/336H01L29/66H03K17/687// H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: General Electric Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 General Electric

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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