Nand-Flash Speicher mit einer Entladungsschaltung
EP4252233
Art B1
16. Oktober 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4252233
- Aktenzeichen
- EP22817514
- Anmeldetag
- 18. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2024
- Erteilung
- 16. Oktober 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/04G11C16/14G11C16/24G11C7/12H03K19/017
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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