Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit Hoher Elektronenbeweglichkeit und Hergestellter Transistor

EP4252273 Art A1 4. Oktober 2023

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4252273
Aktenzeichen: EP21820487
Anmeldetag: 25. November 2021
Veröffentlichung: 4. Oktober 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L21/338H01L23/373H01L29/778H01L29/78H01L29/24H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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