Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur und Halbleiterstruktur
EP4254475
Art B1
14. Mai 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4254475
- Aktenzeichen
- EP21913115
- Anmeldetag
- 16. August 2021
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2025
- Erteilung
- 14. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D62/10H01L21/311H01L21/02H01L21/764H01L21/768H01L23/48H01L23/485H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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