Doppel-Io-Pad-Zelle mit Schutzschema gegen Elektrostatische Entladung mit Reduziertem Latch-Up-Risiko
EP4254499
Art A1
4. Oktober 2023
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4254499
- Aktenzeichen
- EP23163111
- Anmeldetag
- 21. März 2023
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D89/00H10D89/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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