Feldeffekttransistoren mit einer in einer Substratvertiefung Positionierten Gate-Elektrode

EP4254505 Art A1 4. Oktober 2023

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4254505
Aktenzeichen: EP22198020
Anmeldetag: 27. September 2022
Veröffentlichung: 4. Oktober 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/10H01L29/423H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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