Halbleiterstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP4254509 Art A1 4. Oktober 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4254509
Aktenzeichen
EP21937545
Anmeldetag
12. August 2021
Veröffentlichung
4. Oktober 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/336H01L29/49
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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