Vorrichtung und Verfahren zur Verhinderung eines Substratstroms in einem Ic-Halbleitersubstrat
EP4254798
Art A3
29. November 2023
Anmelder: Elmos Semiconductor SE, Hyundai Mobis Co., Ltd. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4254798
- Aktenzeichen
- EP23185799
- Anmeldetag
- 18. März 2021
- Veröffentlichung
- 29. November 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D89/60H02H9/04G01R31/26H01L23/60H03K17/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Elmos Semiconductor SE
Hyundai Mobis Co., Ltd. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇰🇷
Hyundai Mobis
Südkoreanisches Unternehmen, das Fahrzeugmodule und Komponenten wie Fahrwerks-, Sicherheits- und Elektroniksysteme für die Automobilindustrie entwickelt und herstellt.
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